09月25日（金）AndTech「パワー半導体用SiCウェハ加工技術の基礎と最新スライシング・検査・解析技術」WEBオンライン Zoomセミナー講座を開講予定
リリース情報提供元：
AndTech
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 加藤 智久 氏、埼玉大学 山田 洋平 氏、出光興産株式会社 北村 友彦 氏、レーザーテック株式会社 藤木 翔太 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるSiCパワー半導体での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「パワー半導体 SiCウエハ加工技術／スライシング」講座を開講いたします。
SiCウェハの開発動向から切断・研削・研磨・CMP、加工変質層の抑制、大口径化対応まで難加工材SiCのウェハ加工技術を解説！
本講座は、2026年09月25日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f181c49-d0a2-6180-9fcf-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
──────────────────
テーマ：パワー半導体用SiCウェハ加工技術の基礎と最新スライシング・検査・解析技術
～切断・研削・研磨・CMPからレーザ・WEDM、加工変質層・結晶欠陥評価まで～
開催日時：2026年9月25日（金） 09:15-15:50
参 加 費：66,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f181c49-d0a2-6180-9fcf-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
∽∽───────────────────────∽∽
第1部 パワー半導体用SiCウェハの加工技術開発の課題と動向
∽∽───────────────────────∽∽
講師 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
∽∽───────────────────────∽∽
第2部 SiCウェハのレーザスライシング技術
∽∽───────────────────────∽∽
講師 埼玉大学 理工学研究科 山田 洋平 氏
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第3部 油加工液を用いたSiCインゴットのワイヤ放電加工技術
∽∽───────────────────────∽∽
講師 出光興産株式会社 営業研究所 インダストリアルオイル開発グループ / 主任 北村 友彦 氏
∽∽───────────────────────∽∽
第4部 実用化の進むSiCウェハに最適な加工歪・ダメージ・結晶欠陥の解析・検査手法
∽∽───────────────────────∽∽
講師 レーザーテック株式会社 技術六部 藤木 翔太 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
───────────────────────
・半導体用SiCウェハ加工技術の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する情報。
・レーザスライシング技術の原理
・レーザパラメータが加工に及ぼす影響
・実用化に向けた各種要素技術
・SiCなどワイドバンドギャップ半導体ウェハ特有の加工面の課題、およびその課題に対する最適な検査・解析計測・評価のアプローチ方法
本セミナーの受講形式
─────────────
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
──────
化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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∽∽───────────────────────∽∽
第1部 パワー半導体用SiCウェハの加工技術開発の課題と動向
【講演主旨】
SiCパワー半導体の拡大普及が進む中、その基板となるウェハの信頼性確保と低コスト化には未だ多くの技術課題がある。本セミナーでは、パワー半導体用大口径SiCウェハの製造技術における課題を整理し、インゴットの切断から最終研磨工程のCMPまで、ウェハ加工工程に求められる今後の技術アプローチについて議論する。
【プログラム】
1. SiCウェハ技術の現状、課題、今後の戦略について
1）大口径SiCウェハの開発動向 ～12インチ時代の到来～
2）SiCウェハ産業における国際競争力強化
3）日本国内におけるSiCウェハ加工技術開発の取り組み
2. SiCウェハ加工技術の課題と高速化
1）SiCウェハ加工工程の技術ベンチマークと開発のターゲット
2）切断技術の現状
3）研削・研磨での砥粒加工技術の開発同行
4）SiCに有効な酸化援用加工
5）電界を用いたECMP技術
6）電界による酸化援用研削技術
7）トライボ化学反応による酸化援用加工
8）放電加工を用いたダイヤ砥粒レス平坦加工技術
【質疑応答】
【講演のポイント】
加工が難しいことが知られるSiCウェハは、近年大口径化が進み、８インチが市場の台頭、さらに大口径化も今後進む可能性がある。つくば産総研に設置されている民活型大型共同研究体「TPEC」では、こうした大口径化のトレンドに対応する低コスト・効能率加工技術を目指した開発を行っている。これらの最新の取り組みも講演にて紹介する。
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第2部 SiCウェハのレーザスライシング技術
【講演主旨】
SiCウエハを切りくず無く薄くスライシングする技術として、本研究室ではレーザスライシング技術を提案しています。ウエハ内部にレーザ光を集光し、微小なき裂を連鎖させることで精密切断を実現する技術であるため、持続可能な社会を目指す上で好適な環境にやさしい技術として注目され始めました。しかし、生産ラインに乗せるためにはいくつかの課題が立ちはだかります。そこで本講座では、レーザスライシング技術の基礎から、スライシングを成功させるためのキーポイント・勘所、現状の課題と今後の展望について解説します。
【プログラム】
１．研究背景
１-1 SiCウエハ製造の課題
１-２ レーザスライシング技術の概略と市場へのインパクト
２．SiCのレーザスライシングの原理
２-１ レーザと装置の選定
２-２ レーザパラメータが加工に及ぼす影響
２-３ スライシングを成功させるためのキーポイント
３．SiCのレーザスライシングの現状と課題
３-１ 材料ロスと加工時間
３-２ 他材料への応用
３-３ 実用化に向けた試み
４．今後の展望
【質疑応答】
【講演のポイント】
今後、登場する様々な半導体材料に対して、柔軟に対応できる加工技術の一つであると同時に、プレイヤーの少ない新規性の高い加工技術です。実用化できれば市場に対するインパクトは大きいと考えています。
∽∽───────────────────────∽∽
第3部 油加工液を用いたSiCインゴットのワイヤ放電加工技術
【講演主旨】
SiCパワーデバイスは電力変換時の損失が低いなどの利点があり，将来的な市場拡大が期待されている．しかし，SiCはSiに比べ非常に硬く，現状主流のワイヤソーによる砥粒加工では，Siのようにインゴットからウェハを速く精度よく切出すことが難しい．一方，金型材料の加工などに多用されるワイヤ放電加工は，電気エネルギーによる加工であり，加工反力が小さく，超高硬度材でも速く精度よく切出せることが期待できる．このワイヤ放電加工の加工液は一般的に脱イオン水であるが，本講演では加工液に油剤を用いたSiCのワイヤ放電加工技術の有用性を示す．
【プログラム】
１．SiCスライス加工への油加工液を用いたワイヤ放電加工の適用理由
1-1．SiCウェハの製造（インゴットのスライス）方法
1-2．ワイヤ放電加工とは
1-3．SiCスライス加工へのワイヤ放電加工適用のメリット
1-4．加工液として油剤を用いる期待効果
２．SiCの溝加工における水と油加工液の比較
2-1．加工速度と加工面粗さ，切断ロス
2-2．加工面の外観と組成
2-3．表面欠陥の除去に必要なラッピング加工時間
３．SiCの溝加工における油加工液の違いによる影響
3-1．サーボ電圧とスライス速度の関係
3-2．スライス速度と加工溝幅
４．4インチインゴットのスライス加工における水と油加工液の比較
4-1．スライス速度と切断ロス
4-2．加工面の表面粗さと断面曲線，ダメージ層厚さ
５．SiCワイヤ放電加工向け加工油の開発
６．開発油を用いた細線ワイヤによるスライス加工
７．まとめ
【質疑応答】
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第4部 実用化の進むSiCウェハに最適な加工歪・ダメージ・結晶欠陥の解析・検査手法
【講演主旨】
優れた材料特性を有する炭化ケイ素（SiC: Silicon Carbide）はパワーデバイスの更なる高効率化・低損失化をもたらすため、カーボンニュートラル社会の実現に向け普及が進んでいる。SiCパワーデバイスの更なる実用化のため、高性能化・低コスト化・高信頼化が求められる。
SiCは物理的・化学的に非常に安定した難加工材料であり、シリコンウェハと比べて加工難易度が高い。加工後のウェハ表面には加工歪や欠陥が残存しやすく、これらがデバイスの歩留まりや信頼性に大きく影響するため、量産工程ではウェハ全数の精密な検査が求められている。
本セミナーではSiCウェハの加工面の欠陥・ダメージがデバイスに及ぼす影響など、加工面の特徴や品質について述べ、その解析および検査手法について解説する。
【プログラム】
1. SiCウェハの重要性と表面品質はじめに
i. SiCパワーデバイスの市況
ii. 大口径化のトレンド
2. SiCウェハの加工プロセスと加工面の特徴
i. SiCウェハの加工プロセスの特徴
ii. SiCウェハの欠陥
3. SiCウェハ評価技術
i. 全数検査と詳細分析
ii. 全数検査手法
iii. 詳細解析手法
4. まとめ：評価設計の考え方
【質疑応答】
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
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国立研究開発法人 産業技術総合研究所 加藤 智久 氏、埼玉大学 山田 洋平 氏、出光興産株式会社 北村 友彦 氏、レーザーテック株式会社 藤木 翔太 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるSiCパワー半導体での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「パワー半導体 SiCウエハ加工技術／スライシング」講座を開講いたします。
SiCウェハの開発動向から切断・研削・研磨・CMP、加工変質層の抑制、大口径化対応まで難加工材SiCのウェハ加工技術を解説！
本講座は、2026年09月25日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f181c49-d0a2-6180-9fcf-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：パワー半導体用SiCウェハ加工技術の基礎と最新スライシング・検査・解析技術
～切断・研削・研磨・CMPからレーザ・WEDM、加工変質層・結晶欠陥評価まで～
開催日時：2026年9月25日（金） 09:15-15:50
参 加 費：66,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
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WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
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第1部 パワー半導体用SiCウェハの加工技術開発の課題と動向
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講師 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
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第2部 SiCウェハのレーザスライシング技術
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講師 埼玉大学 理工学研究科 山田 洋平 氏
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第3部 油加工液を用いたSiCインゴットのワイヤ放電加工技術
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講師 出光興産株式会社 営業研究所 インダストリアルオイル開発グループ / 主任 北村 友彦 氏
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第4部 実用化の進むSiCウェハに最適な加工歪・ダメージ・結晶欠陥の解析・検査手法
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講師 レーザーテック株式会社 技術六部 藤木 翔太 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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・半導体用SiCウェハ加工技術の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する情報。
・レーザスライシング技術の原理
・レーザパラメータが加工に及ぼす影響
・実用化に向けた各種要素技術
・SiCなどワイドバンドギャップ半導体ウェハ特有の加工面の課題、およびその課題に対する最適な検査・解析計測・評価のアプローチ方法
本セミナーの受講形式
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幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
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本件に関するお問い合わせ
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第1部 パワー半導体用SiCウェハの加工技術開発の課題と動向
【講演主旨】
SiCパワー半導体の拡大普及が進む中、その基板となるウェハの信頼性確保と低コスト化には未だ多くの技術課題がある。本セミナーでは、パワー半導体用大口径SiCウェハの製造技術における課題を整理し、インゴットの切断から最終研磨工程のCMPまで、ウェハ加工工程に求められる今後の技術アプローチについて議論する。
【プログラム】
1. SiCウェハ技術の現状、課題、今後の戦略について
1）大口径SiCウェハの開発動向 ～12インチ時代の到来～
2）SiCウェハ産業における国際競争力強化
3）日本国内におけるSiCウェハ加工技術開発の取り組み
2. SiCウェハ加工技術の課題と高速化
1）SiCウェハ加工工程の技術ベンチマークと開発のターゲット
2）切断技術の現状
3）研削・研磨での砥粒加工技術の開発同行
4）SiCに有効な酸化援用加工
5）電界を用いたECMP技術
6）電界による酸化援用研削技術
7）トライボ化学反応による酸化援用加工
8）放電加工を用いたダイヤ砥粒レス平坦加工技術
【質疑応答】
【講演のポイント】
加工が難しいことが知られるSiCウェハは、近年大口径化が進み、８インチが市場の台頭、さらに大口径化も今後進む可能性がある。つくば産総研に設置されている民活型大型共同研究体「TPEC」では、こうした大口径化のトレンドに対応する低コスト・効能率加工技術を目指した開発を行っている。これらの最新の取り組みも講演にて紹介する。
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第2部 SiCウェハのレーザスライシング技術
【講演主旨】
SiCウエハを切りくず無く薄くスライシングする技術として、本研究室ではレーザスライシング技術を提案しています。ウエハ内部にレーザ光を集光し、微小なき裂を連鎖させることで精密切断を実現する技術であるため、持続可能な社会を目指す上で好適な環境にやさしい技術として注目され始めました。しかし、生産ラインに乗せるためにはいくつかの課題が立ちはだかります。そこで本講座では、レーザスライシング技術の基礎から、スライシングを成功させるためのキーポイント・勘所、現状の課題と今後の展望について解説します。
【プログラム】
１．研究背景
１-1 SiCウエハ製造の課題
１-２ レーザスライシング技術の概略と市場へのインパクト
２．SiCのレーザスライシングの原理
２-１ レーザと装置の選定
２-２ レーザパラメータが加工に及ぼす影響
２-３ スライシングを成功させるためのキーポイント
３．SiCのレーザスライシングの現状と課題
３-１ 材料ロスと加工時間
３-２ 他材料への応用
３-３ 実用化に向けた試み
４．今後の展望
【質疑応答】
【講演のポイント】
今後、登場する様々な半導体材料に対して、柔軟に対応できる加工技術の一つであると同時に、プレイヤーの少ない新規性の高い加工技術です。実用化できれば市場に対するインパクトは大きいと考えています。
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第3部 油加工液を用いたSiCインゴットのワイヤ放電加工技術
【講演主旨】
SiCパワーデバイスは電力変換時の損失が低いなどの利点があり，将来的な市場拡大が期待されている．しかし，SiCはSiに比べ非常に硬く，現状主流のワイヤソーによる砥粒加工では，Siのようにインゴットからウェハを速く精度よく切出すことが難しい．一方，金型材料の加工などに多用されるワイヤ放電加工は，電気エネルギーによる加工であり，加工反力が小さく，超高硬度材でも速く精度よく切出せることが期待できる．このワイヤ放電加工の加工液は一般的に脱イオン水であるが，本講演では加工液に油剤を用いたSiCのワイヤ放電加工技術の有用性を示す．
【プログラム】
１．SiCスライス加工への油加工液を用いたワイヤ放電加工の適用理由
1-1．SiCウェハの製造（インゴットのスライス）方法
1-2．ワイヤ放電加工とは
1-3．SiCスライス加工へのワイヤ放電加工適用のメリット
1-4．加工液として油剤を用いる期待効果
２．SiCの溝加工における水と油加工液の比較
2-1．加工速度と加工面粗さ，切断ロス
2-2．加工面の外観と組成
2-3．表面欠陥の除去に必要なラッピング加工時間
３．SiCの溝加工における油加工液の違いによる影響
3-1．サーボ電圧とスライス速度の関係
3-2．スライス速度と加工溝幅
４．4インチインゴットのスライス加工における水と油加工液の比較
4-1．スライス速度と切断ロス
4-2．加工面の表面粗さと断面曲線，ダメージ層厚さ
５．SiCワイヤ放電加工向け加工油の開発
６．開発油を用いた細線ワイヤによるスライス加工
７．まとめ
【質疑応答】
∽∽───────────────────────∽∽
第4部 実用化の進むSiCウェハに最適な加工歪・ダメージ・結晶欠陥の解析・検査手法
【講演主旨】
優れた材料特性を有する炭化ケイ素（SiC: Silicon Carbide）はパワーデバイスの更なる高効率化・低損失化をもたらすため、カーボンニュートラル社会の実現に向け普及が進んでいる。SiCパワーデバイスの更なる実用化のため、高性能化・低コスト化・高信頼化が求められる。
SiCは物理的・化学的に非常に安定した難加工材料であり、シリコンウェハと比べて加工難易度が高い。加工後のウェハ表面には加工歪や欠陥が残存しやすく、これらがデバイスの歩留まりや信頼性に大きく影響するため、量産工程ではウェハ全数の精密な検査が求められている。
本セミナーではSiCウェハの加工面の欠陥・ダメージがデバイスに及ぼす影響など、加工面の特徴や品質について述べ、その解析および検査手法について解説する。
【プログラム】
1. SiCウェハの重要性と表面品質はじめに
i. SiCパワーデバイスの市況
ii. 大口径化のトレンド
2. SiCウェハの加工プロセスと加工面の特徴
i. SiCウェハの加工プロセスの特徴
ii. SiCウェハの欠陥
3. SiCウェハ評価技術
i. 全数検査と詳細分析
ii. 全数検査手法
iii. 詳細解析手法
4. まとめ：評価設計の考え方
【質疑応答】
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